E.Ueno, et al.: "Impurity-Profile-Based Threshold-Voltage Model of Pocket-Implanted MOSFETs for Circuit Simulation"IEEE Transaction on Electron Devices. 49,10. 1783-1789 (2002)
E.Ueno, et al.: "Impurity-Profile-Based Threshold-Voltage Model of Pocket-Implanted MOSFETs for Circuit Simulation"IEEE Transaction on Electron Devices. 49,10. 1783-1789 (2002)
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E.Ueno 等人：“用于电路仿真的袖珍植入 MOSFET 的基于杂质分布的阈值电压模型”IEEE Transaction on Electron Devices。
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