高耐圧及び微細化に向けて構造改善を行った縦型2DHGダイヤモンドMOSFET
高耐圧及び微細化に向けて構造改善を行った縦型2DHGダイヤモンドMOSFET
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具有耐高压和小型化改进结构的垂直 2DHG 金刚石 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川原田 洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岩瀧 雅幸;大井 信敬;牟田 翼;堀川 清貴;天野 勝太郎;日出幸 昌邦;蔭浦 泰資;稲葉 優文;平岩 篤;川原田 洋
