High electron mobility InSb film on Si grown by surface reconstruction controlled epitaxy and its application for MOSFETs
High electron mobility InSb film on Si grown by surface reconstruction controlled epitaxy and its application for MOSFETs
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表面重构控制外延硅基高电子迁移率InSb薄膜及其在MOSFET中的应用
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Tatsuyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Mori;Y. Yasui;K. Nakayama;A. Kadoda;T. Ito;K. Maezawa;C. Tatsuyama
