Mapping evaluation of damage effect on electrical properties of GaAs Schottky contacts
Mapping evaluation of damage effect on electrical properties of GaAs Schottky contacts
复制标题
GaAs肖特基接触电性能损伤效应的映射评估
DOI：
10.1016/0022-0248(90)90194-p
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发表时间：
1990
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Okumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Shiojima;T. Okumura
