Origin(s) of Anomalous Substrate Conduction in MOVPE-Grown GaN HEMTs on Highly Resistive Silicon.
Origin(s) of Anomalous Substrate Conduction in MOVPE-Grown GaN HEMTs on Highly Resistive Silicon.
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高阻硅上 MOVPE 生长的 GaN HEMT 异常衬底传导的起源。
DOI：
10.17863/cam.63578
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ghosh S
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ghosh S
