Resistivities and Hole Mobilities in Very Heavily Doped Germanium
Resistivities and Hole Mobilities in Very Heavily Doped Germanium
复制标题
重掺杂锗中的电阻率和空穴迁移率
DOI：
--
复制
发表时间：
1958
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Tartaglia
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Trumbore;A. Tartaglia
