Structural optimization of HfriSiO high-k gate dielectrics by utilizing in-situ PVD-based fabrication method
Structural optimization of HfriSiO high-k gate dielectrics by utilizing in-situ PVD-based fabrication method
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利用基于原位 PVD 的制造方法优化 HfriSiO 高 k 栅极电介质的结构
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Arimura;et.al.
