Reduction of Acoustic Phonon Limited Electron Mobility due to Phonon Confinement in Silicon Nanowire MOSFETs
Reduction of Acoustic Phonon Limited Electron Mobility due to Phonon Confinement in Silicon Nanowire MOSFETs
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由于硅纳米线 MOSFET 中的声子限制，声学声子限制电子迁移率降低
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Mori and K. Nakazato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Hattori;S. Uno;N. Mori and K. Nakazato
