数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化を用いたSOI層の均一化-多電極プラズマ発生装置の試作-
数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化を用いたSOI層の均一化-多電極プラズマ発生装置の試作-
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使用数控常压等离子体牺牲氧化实现 SOI 层的均匀化 - 多电极等离子体发生器的原型制作 -
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
上坂翔平
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高奈秀匡;他;水谷公一;水谷公一;水谷 公一;R. Murakami;R. Murakami;R. Murakami;村上 理一;村上 理一;Shohei Kamisaka;Shohei Kamisaka;Shohei Kamisaka;Shohei Kamisaka;上坂翔平
