In situ growth of metal-sulfide film with solvent-free element-direct reaction: the case of PbS on ITO
In situ growth of metal-sulfide film with solvent-free element-direct reaction: the case of PbS on ITO
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无溶剂元素直接反应原位生长金属硫化物薄膜：ITO 上 PbS 的案例
DOI：
10.1039/c5ra13640g
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发表时间：
2015-10
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
J. Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Xu;D. Zhang;Z. Zheng;J. Yang
为了防止金属硫化物薄膜在原位制备过程中从衬底上脱落，开发了无溶剂元素直接反应。为了利用这种新策略，选择硫化铅（PbS）膜在150 °C下在氧化铟锡涂层玻璃（ITO/玻璃）上生长。根据胶带测试结果，所制备的PbS膜在基板上表现出优异的粘附性。X射线衍射（XRD）、X射线能谱（EDX）和X射线光电子能谱（XPS）分析表明，PbS薄膜具有良好的结晶性和接近平衡的化学计量比。此外，所制备的PbS薄膜表现出强烈的蓝移带间吸收。光电化学（PEC）测试表明，该材料具有很好的光敏性和n型导电性。其他重要的性能，如晶体结构，薄膜厚度，电流-电压（I-V）特性，表面粗糙度和形貌进行了详细的研究。
In order to prevent the metal-sulfide film from falling off a substrate during in situ preparation, a solvent-free element-direct reaction was developed. To exploit this new strategy, lead sulfide (PbS) film was selected to grow on Indium-Tin-Oxide-coated glass (ITO/glass) at 150 °C. The prepared PbS film exhibited outstanding adhesion on the substrate according to the tape test results. The analyses of X-ray diffraction (XRD), energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) indicated the PbS film possessed good crystallinity and nearly balanced stoichiometry. In addition, the prepared PbS film exhibited intensive blue-shifted interband absorption. Moreover, photoelectrochemical (PEC) measurements illustrated that it possessed great photosensitivity and n-type conductivity. Other important properties such as crystal structure, film thickness, current–voltage (I–V) characteristics, surface roughness and topography were studied in detail.
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