Effect of post-implantation annealing on Al?N isoelectronic trap formation in silicon: Al?N pair formation and defect recovery mechanisms
Effect of post-implantation annealing on Al?N isoelectronic trap formation in silicon: Al?N pair formation and defect recovery mechanisms
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注入后退火对硅中 Al?N 等电子陷阱形成的影响：Al?N 对形成和缺陷恢复机制
DOI：
10.1063/1.5030795
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Matsukawa Takashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mori Takahiro;Morita Yukinori;Matsukawa Takashi
