スパッタエピタキシー法を&用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御
スパッタエピタキシー法を&用いたSiGe HEMTの製造技術と特性制御
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溅射外延法SiGe HEMT制造技术及性能控制
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須田 良幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
青柳 耀介;本橋 叡;出蔵 恭平;大久保 克己;広瀬 信光;笠松 章史;松井 敏明;塚本 貴広;須田 良幸
