Invited) Simulation Study of High Voltage Vertical GaN Nanowire Field Effect Transistors
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特邀）高压垂直GaN纳米线场效应晶体管的仿真研究
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Z. Shen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Sabui;V. Zubialevich;P. Pampili;M. White;P. Parbrook;M. McLaren;M. Arredondo;Z. Shen
