Prediction of low-LET ion induced single event upset cross sections for advanced SRAM
Prediction of low-LET ion induced single event upset cross sections for advanced SRAM
复制标题
预测高级 SRAM 的低 LET 离子引起的单粒子翻转截面
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
影响因子：
1.2
通讯作者：
李磊
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
周婉婷;胡剑浩;李磊
