Atomic-layer-resolved Bandgap Structure of an Ultrathin Oxynitride-silicon Film Epitaxially Grown on 6H-SiC(0001)
Atomic-layer-resolved Bandgap Structure of an Ultrathin Oxynitride-silicon Film Epitaxially Grown on 6H-SiC(0001)
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6H-SiC(0001) 上外延生长的超薄氮氧化物-硅薄膜的原子层分辨带隙结构
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Tochihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Ando;K. Akagi;S. Tsuneyuki;H. Tochihara
