65-nm SOTB SRAMにおける低エネルギー正負ミュオン誘起SEU断面積の測定
65-nm SOTB SRAMにおける低エネルギー正負ミュオン誘起SEU断面積の測定
复制标题
65 nm SOTB SRAM 中低能正负 μ 介子诱导 SEU 横截面的测量
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
三宅 康博
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
真鍋 征也;渡辺 幸信;中野 敬太;佐藤 光流;金 政浩;廖 望;橋本 昌宜;濱田 幸司;反保 元伸;三宅 康博
