Accurate potential measurement of GaAs semiconductors by applying phase-shifting electron holography to a wedge-shaped specimen
Accurate potential measurement of GaAs semiconductors by applying phase-shifting electron holography to a wedge-shaped specimen
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通过对楔形样品应用相移电子全息术精确测量 GaAs 半导体的电势
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Anada;K. Yamamoto;H. Sasaki;N. Shibata;M. Matsumoto;Y. Hori;K. Kinugawa;A. Imamura;T. Hirayama
