Electronic States in 4H-SiC MOS Inversion Layers Considering Crystal Structure Using Empirical Pseudopotential Method
Electronic States in 4H-SiC MOS Inversion Layers Considering Crystal Structure Using Empirical Pseudopotential Method
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使用经验赝势法考虑晶体结构的 4H-SiC MOS 反型层中的电子态
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Nagamizo;H. Tanaka;N. Mori
