A High-Aspect Ratio Silicon Gate Formation Technique for Beam-Channel MOS Transistor with Impurity-Enhanced Oxidation
A High-Aspect Ratio Silicon Gate Formation Technique for Beam-Channel MOS Transistor with Impurity-Enhanced Oxidation
复制标题
一种高深宽比杂质强化氧化束沟道MOS晶体管硅栅形成技术
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Sunami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Katakami;K.Kobayashi;H.Sunami
