Lattice parameters of bulk GaN fabricated by halide vapor phase epitaxy
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2007.11.130
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发表时间：
2008-03
影响因子：
1.8
通讯作者：
V. Darakchieva;B. Monemar;A. Usui;M. Saenger;M. Schubert
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Darakchieva;B. Monemar;A. Usui;M. Saenger;M. Schubert
