Deep level defect states in β-, α-, and ɛ -Ga 2 O 3 crystals and films: Impact on device performance
Deep level defect states in β-, α-, and ɛ -Ga 2 O 3 crystals and films: Impact on device performance
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β-、α- 和 É-Ga 2 O 3 晶体和薄膜中的深能级缺陷态：对器件性能的影响
DOI：
10.1116/6.0001701
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发表时间：
2022
影响因子：
2.9
通讯作者：
Kim, Jihyun
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Polyakov, Alexander Y.;Nikolaev, Vladimir I.;Yakimov, Eugene B.;Ren, Fan;Pearton, Stephen J.;Kim, Jihyun
