O2 Pressure Dependence of Oxidation Rate on p- and n-Si(001) Surfaces
O2 Pressure Dependence of Oxidation Rate on p- and n-Si(001) Surfaces
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p- 和 n-Si(001) 表面氧化速率与 O2 压力的关系
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Ogawa and Y. Takakuwa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Sekihata;S. Ogawa and Y. Takakuwa
