InPナノワイヤを用いたInAs-チューブチャネルFETの作製と評価
InPナノワイヤを用いたInAs-チューブチャネルFETの作製と評価
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使用 InP 纳米线制造和评估 InAs 管沟道 FET
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
福井孝志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐藤拓也;本久順一;原真二郎;佐野栄一;福井孝志
