5-mW and 5% efficiency 216-GHz InP-based heterostructure barrier varactor tripler
5-mW and 5% efficiency 216-GHz InP-based heterostructure barrier varactor tripler
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5-mW%20和%205%%20效率%20216-GHz%20InP基%20异质结构%20势垒%20变容二极管%20三倍体
DOI：
10.1109/75.736253
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
D. Lippens
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X. Mélique;C. Mann;P. Mounaix;J. Thornton;O. Vanbésien;F. Mollot;D. Lippens
我们报告的效率和输出功率的InP基异质结势垒变容二极管（HBV）三倍器方面的创纪录的性能。由于采用了阶梯状的InGaAs/InAlAs/AlAs势垒结构，该器件具有良好的电压特性，漏电流（10 A/cm 2）最低可达5 V。4×12 μm2指形器件在216 GHz时输出功率为5 mW（转换效率为5.4%）。
We report on record performance in terms of efficiency and output power for an InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) tripler. Owing to a step-like InGaAs/InAlAs/AlAs barrier scheme, the device exhibits excellent voltage handling with low leakage current (10 A/cm2) up to at least 5 V. A 4×12 μm2 finger-shaped device in a dual configuration yielded a delivered output power of 5 mW (5.4% conversion efficiency) at 216 GHz.