Analytical Models for Channel Potential, Drain Current, and Subthreshold Swing of Short-Channel Triple-Gate FinFETs
Analytical Models for Channel Potential, Drain Current, and Subthreshold Swing of Short-Channel Triple-Gate FinFETs
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短沟道三栅极 FinFET 的沟道电位、漏极电流和亚阈值摆幅的分析模型
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Xing Zhou
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Guangxi Hu;Ran Liu;王伶俐;Xing Zhou
