Short channel characteristics of ETB InxGa1-xAs-OI MOSFET with Ni-InGaAs metal S/D and MOS interface buffer engineering
Short channel characteristics of ETB InxGa1-xAs-OI MOSFET with Ni-InGaAs metal S/D and MOS interface buffer engineering
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采用 Ni-InGaAs 金属 S/D 和 MOS 接口缓冲工程的 ETB InxGa1-xAs-OI MOSFET 的短沟道特性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. H. Kim;M. Yokoyama;N. Taoka;R. Nakane;T. Yasuda;0. Ichikawa;N. Fukuhara;M. Hata;M. Takenaka;S. Takagi
