Field characteristics of electron mobility and veloclty in InAs/AlGaSb HFETs with high-kgate insulators
Field characteristics of electron mobility and veloclty in InAs/AlGaSb HFETs with high-kgate insulators
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具有高 kgate 绝缘体的 InAs/AlGaSb HFET 中电子迁移率和速度的场特性
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M.Inoue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Maemoto;M.Koyama;H.Takahashi;S.Sasa;and M.Inoue
