T. Ohmi: "Gate Oxide Reliability Concerns in Gate-Metal Sputtering Deposition Process : and Effect of Low-Energy Large-Mass Ion Bombardment"Microelectronics Reliability. Vol. 39, No. 3. 327-332 (1999)
T. Ohmi: "Gate Oxide Reliability Concerns in Gate-Metal Sputtering Deposition Process : and Effect of Low-Energy Large-Mass Ion Bombardment"Microelectronics Reliability. Vol. 39, No. 3. 327-332 (1999)
复制标题
T. Ohmi：“栅极金属溅射沉积过程中的栅极氧化物可靠性问题：以及低能大质量离子轰击的影响”微电子可靠性。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
