GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電気特性に与える影響

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GaN表面氧化工艺对ALD-Al2O3/GaN界面电学性能的影响

DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
出来真斗,曾根和詩,永松謙太郎,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩
出来真斗,曾根和詩,永松謙太郎,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Manato Deki;Yuto Ando;Hirotaka Watanabe;Atsushi Tanaka;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda1;and Hiroshi Amano;出来真斗,曾根和詩,永松謙太郎,田中敦之,久志本真希,新田州吾,本田善央,天野浩

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