GaN heteroepitaxial growth on LiNbO_3 (0001) step substrates by pulsed laser deposition
GaN heteroepitaxial growth on LiNbO_3 (0001) step substrates by pulsed laser deposition
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脉冲激光沉积在 LiNbO_3 (0001) 阶梯衬底上进行 GaN 异质外延生长
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Tsuchiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Kobayashi;M.H.Kim;A.Kobayashi;J.Ohta;Y.Kawaguchi;Y.Tsuchiya
