Present status of amorphous oxide semiconductor: Electronic defects and material development
Present status of amorphous oxide semiconductor: Electronic defects and material development
复制标题
非晶氧化物半导体的现状：电子缺陷与材料发展
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kamiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ide;H. Hosono;T. Kamiya
