Maximo Lopez: "Initial Growth Mechanism of Si on GaAs studied by Reflection High-Energy Electron Diffraction Oscillation" Japanese Journal of Applied Physics. 31. 1745-1751 (1992)
Maximo Lopez: "Initial Growth Mechanism of Si on GaAs studied by Reflection High-Energy Electron Diffraction Oscillation" Japanese Journal of Applied Physics. 31. 1745-1751 (1992)
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Maximo Lopez：“通过反射高能电子衍射振荡研究 GaAs 上 Si 的初始生长机制”日本应用物理学杂志。
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