A. Yamamoto: "Evidences for the Existence of a High-Carrier-Density Layer near Nondoped -GaN/α-Al_2O_3 Substrates Interface"Physica Status Solidi (a). 176. 689-692 (1999)
A. Yamamoto: "Evidences for the Existence of a High-Carrier-Density Layer near Nondoped -GaN/α-Al_2O_3 Substrates Interface"Physica Status Solidi (a). 176. 689-692 (1999)
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A. Yamamoto：“非掺杂 -GaN/α-Al_2O_3 衬底界面附近存在高载流子密度层的证据”Physica Status Solidi (a) 176. 689-692 (1999)。
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