Controlled Creation of Erbium-Oxygen Centers in Silicon by Deterministic Ion Implantation for Room-Temperature Photoluminescence at Telecom Wavelength
Controlled Creation of Erbium-Oxygen Centers in Silicon by Deterministic Ion Implantation for Room-Temperature Photoluminescence at Telecom Wavelength
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通过确定性离子注入控制硅中铒氧中心的生成，实现电信波长的室温光致发光
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Shinada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tanii;Y. Suzuki;K. Gi;M. Celebrano;L. Ghirardini;P. Biagioni;M. Finazzi;Y. Shimizu;Y. Tu;K. Inoue;Y. Nagai;E. Prati;T. Shinada
