Growth mechanism of c-axis-oriented AlN on (1 1 1) diamond substrates by metal-organic vapor phase epitaxy
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2009.09.020
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发表时间：
2010-04
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Imura;K. Nakajima;M. Liao;Y. Koide;H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Imura;K. Nakajima;M. Liao;Y. Koide;H. Amano
