Effect with Nano Dot Type Storage Layer Structure on Channel Region in 20nm Planar NAND Flash Memory Cell
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复制标题
纳米点型存储层结构对20nm平面NAND闪存单元沟道区的影响
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
佐々木健志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takeshi Sasaki;Masakazu Muraguchi;Moon-Sik Seo;Sung-kye Park. Tetsuo Endoh;佐々木健志;佐々木健志
