Gate controlled crossover from weak localization to weak antilocalization in a narrow gap In_<0.8>Ga_<0.2>As/InP heterostructure
Gate controlled crossover from weak localization to weak antilocalization in a narrow gap In_<0.8>Ga_<0.2>As/InP heterostructure
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窄带隙 In_<0.8>Ga_<0.2>As/InP 异质结构中从弱局域到弱反局域的门控交叉
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Nitta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nihei;Y.Suzuki;M.Kohda;J.Nitta
