Effect of n^+-GaAs Thickness and Doping Density on Spin Injection of GaMaAs/n^+-GaAs Esaki Tunnel Junction
Effect of n^+-GaAs Thickness and Doping Density on Spin Injection of GaMaAs/n^+-GaAs Esaki Tunnel Junction
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n^-GaAs厚度和掺杂浓度对GaMaAs/n^-GaAs Esaki隧道结自旋注入的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Kohda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Yakushiji;et al.;M.Kohda
