LaTe1.82(1): modulated crystal structure and chemical bonding of a chalcogen-deficient rare earth metal polytelluride1
LaTe1.82(1): modulated crystal structure and chemical bonding of a chalcogen-deficient rare earth metal polytelluride1
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LaTe1 82(1)：硫属元素不足的稀土金属聚碲化物的调制晶体结构和化学键合1
DOI：
10.1107/s2053229620005094
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Th. Doert
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Poddig;K. Finzel;Th. Doert
采用熔融卤化物熔剂反应和碘气相辅助结晶法制备了稀土金属多碲化物LaTe1.82(1)，即碲化镧（1/1.8）晶体。用x射线衍射实验研究了二维非相干调制晶体结构。与在P4/nmm （No. 129）空间群中求解和细化的单位格尺寸为a = 4.4996(5)和c = 9.179 (1) Å的296 (1)K的四角形平均结构相比，卫星反射不符合四角形对称，而是强制对称约简。可能的空间群是通过群-亚群关系和参考以前关于类似稀土金属多硫属结构的报告而得出的。建立了正交超空间群中的两个结构模型，即Pmmn(α,β,1 \ / 2)000(- α,β,1 \ / 2)000（No. 59.2.51.39）和Pm21n(α,β,1 \ / 2)000(- α,β,1 \ / 2)000(No. 31.2.51.35)，调制波向量q1 = αa* + βb* + 1 \ / 2c*和q2 = - αa* + βb* + 1 \ / 2c* [α = 0.272(1)和β = 0.314(1)]，并相互进行了评价。调制描述了平面[Te]层中缺陷的分布，由于形成不同的Te阴离子而耦合到位移调制。利用密度泛函理论（DFT）方法和基于电子可定位性指标（ELI-D）的三种不同近似值的成键分析，研究了平面[Te]层和不同Te阴离子种类的成键情况。温度相关的电阻显示出半导体行为，估计带隙为0.17 eV。
Crystals of the rare earth metal polytelluride LaTe1.82(1), namely, lanthanum telluride (1/1.8), have been grown by molten alkali halide flux reactions and vapour-assisted crystallization with iodine. The two-dimensionally incommensurately modulated crystal structure has been investigated by X-ray diffraction experiments. In contrast to the tetragonal average structure with unit-cell dimensions of a = 4.4996 (5) and c = 9.179 (1) Å at 296 (1) K, which was solved and refined in the space group P4/nmm (No. 129), the satellite reflections are not compatible with a tetragonal symmetry but enforce a symmetry reduction. Possible space groups have been derived by group–subgroup relationships and by consideration of previous reports on similar rare earth metal polychalcogenide structures. Two structural models in the orthorhombic superspace group, i.e. Pmmn(α,β,1 \over 2)000(−α,β,1 \over 2)000 (No. 59.2.51.39) and Pm21n(α,β,1 \over 2)000(−α,β,1 \over 2)000 (No. 31.2.51.35), with modulation wave vectors q1 = αa* + βb* + 1 \over 2c* and q2 = −αa* + βb* + 1 \over 2c* [α = 0.272 (1) and β = 0.314 (1)], have been established and evaluated against each other. The modulation describes the distribution of defects in the planar [Te] layer, coupled to a displacive modulation due to the formation of different Te anions. The bonding situation in the planar [Te] layer and the different Te anion species have been investigated by density functional theory (DFT) methods and an electron localizability indicator (ELI-D)-based bonding analysis on three different approximants. The temperature-dependent electrical resistance revealed a semiconducting behaviour with an estimated band gap of 0.17 eV.
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影响因子：
--
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Th. Doert
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DOI：
--
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
W. Urland
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DOI：
--
发表时间：
2002
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影响因子：
--
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--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
B. P. T. Fokwa
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--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
T. Schleid