Design of highly-nonlinear horizontal slot waveguide with low and flat dispersion
Design of highly-nonlinear horizontal slot waveguide with low and flat dispersion
复制标题
低色散且平坦的高度非线性水平缝隙波导设计
DOI：
10.1016/j.optcom.2013.01.047
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发表时间：
2013
影响因子：
2.4
通讯作者：
Masa-aki Komatsu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
安永大地;村岡諭;坂本勉;安部詩織・安永大地・小泉政利;安永大地;高橋純一・安永大地;新国圭祐・安永大地・小泉政利・邑本俊亮;金春香・田中幹弘・安永大地;孫猛・玉岡賀津雄・宮岡弥生・小泉政利・安永大地;高田一樹;高田一樹;Kazuki TAKADA;高田一樹;高田一樹;高田一樹;高田一樹;Kazuki TAKADA;高田一樹;高田一樹;植村広美・南部広孝・大塚豊;植村広美;植村広美;山田肖子・植村広美;植村広美;大塚豊・南部広孝・植村広美;植村広美;植村広美;植村広美;Masa-aki Komatsu
提出了一种由硅和硅纳米晶组成的具有平坦色散特性的高非线性水平缝隙波导的优化设计。数值模拟结果表明，在1550 nm波长处，非线性系数可达6600 W − 1 m − 1，在S、C和L波段，色散值在−150 ~ 150 ps/nm/km之间。另外，当工作带宽限制在C波段时，对于波导宽度和高折射率区高度的10 nm的制作误差，最大的容限为20 nm。
We present an optimum design of highly-nonlinear horizontal slot waveguides consisting of silicon and silicon nanocrystals with flat dispersion characteristics. Results from numerical simulations show that the nonlinear coefficient of 6600W−1m−1at 1550-nm wavelength and the dispersion values between −150 and 150ps/nm/km in the S, C, and L bands can be achieved. In addition, when we limit the operating bandwidth to C-band, the most tolerant slot height is 20nm for the 10nm fabrication errors of waveguide width and high-index region height.