表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製
表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製
复制标题
通过表面激活键合和硅衬底剥离制备GaN极性反转结构
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shunsuke Goto;Keita Nomura;Masanori Yamamoto;Hiromoto Nishihara;Masashi Ito;Masanobu Uchimura;Takashi Kyotani;小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二
