ウェットエッチングを用いたβ-Ga2O3 (100)基板表面のSi不純物除去
ウェットエッチングを用いたβ-Ga2O3 (100)基板表面のSi不純物除去
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使用湿法蚀刻去除 β-Ga2O3 (100) 衬底表面的 Si 杂质
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
加渡幹尚 大友明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
李政洙;若林諒;吉松公平;加渡幹尚 大友明
