Effect of pressure and mechanical stress on the electronic properties of AlN and GaN
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DOI：
10.1134/s1063783411040093
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发表时间：
2011-04
影响因子：
0.6
通讯作者：
V. Brudnyi;A. Kosobutsky;N. Kolin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Brudnyi;A. Kosobutsky;N. Kolin
