High-temperature-grown quaternary AlInGaN epilayers and multiple quantum wells for ultraviolet emission
High-temperature-grown quaternary AlInGaN epilayers and multiple quantum wells for ultraviolet emission
复制标题
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2004.01.012
复制
发表时间：
2004-03
影响因子：
1.8
通讯作者：
Yang Liu;T. Egawa;H. Ishikawa;Hao Jiang;Baijun Zhang;M. Hao;T. Jimbo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Liu;T. Egawa;H. Ishikawa;Hao Jiang;Baijun Zhang;M. Hao;T. Jimbo
