First-principles study on lattice thermal conductivity of thermoelectrics HgTe in different phases
First-principles study on lattice thermal conductivity of thermoelectrics HgTe in different phases
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不同相热电材料HgTe晶格热导率的第一性原理研究
DOI：
10.1063/1.4922978
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发表时间：
2015-06
影响因子：
3.2
通讯作者：
Ming Hu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tao Ouyang;Ming Hu
准确描述材料高压相的导热系数是预测材料热电性能的关键。本文结合第一性原理计算和声子玻尔兹曼输运方程，研究了HgTe在低压闪锌矿和高压朱砂相中的晶格热导率。结果表明，高压朱砂相HgTe的声子导热系数比低压闪锌矿相低一个数量级以上。这主要是由于HgTe朱砂相中混合声子分支的性质，抑制了声子群速度，缩短了声子弛豫时间。在此基础上，重新计算了HgTe的优值，发现在室温下最大优值接近1.4。我们的第一性原理研究强调了高压HgTe相是一种非常有希望的候选相。
Accurate description of thermal conductivity of high pressure phase of materials is a key for predicting the thermoelectric performance. In this paper, by combining first-principle calculation and phonon Boltzmann transport equation, we investigate the lattice thermal conductivity of HgTe in low pressure zinc blende and high pressure cinnabar phases. The results show that the phononic thermal conductivity of high pressure cinnabar phase HgTe is more than an order of magnitude lower than that for the low pressure zinc blende phase. This is mainly originated from the suppressed group velocity and reduced phonon relaxation time due to the nature of mixed phonon branches in the cinnabar phase of HgTe. Based on the new and precise value of the lattice thermal conductivity calculated in this work, the figure of merit of HgTe is re-calculated and the maximum figure of merit is found to approach 1.4 at room temperature. Our first principles study highlights the high pressure HgTe phase as a very promising candida...
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DOI：
10.1002/pssa.2210770272
发表时间：
1983-06
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
--
作者：
T. Huang;A. Ruoff
通讯作者：
T. Huang;A. Ruoff
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
Si/Ge核壳纳米线的热导率显着降低
影响因子：
10.8
作者：
Hu, Ming;Giapis, Konstantinos P.;Poulikakos, Dimos
通讯作者：
Poulikakos, Dimos
影响因子：
3.7
作者：
S. Radescu;A. Mujica;R. Needs
通讯作者：
S. Radescu;A. Mujica;R. Needs
DOI：
--
发表时间：
2008-03
期刊：
Bulletin of the American Physical Society
影响因子：
--
作者：
A. Hochbaum;Renkun Chen;R. Delgado;W. Liang;E. Garnett;M. Najarian;A. Majumdar;P. Yang
通讯作者：
A. Hochbaum;Renkun Chen;R. Delgado;W. Liang;E. Garnett;M. Najarian;A. Majumdar;P. Yang