Improved SiO2/ 4H-SiC Interface Defect Density Using Forming Gas Annealing
Improved SiO2/ 4H-SiC Interface Defect Density Using Forming Gas Annealing
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使用合成气体退火提高 SiO2/4H-SiC 界面缺陷密度
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
L. Knoll
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Wirths;G. Alfieri;A. Prasmusinto;A. Mihaila;L. Kranz;M. Bellini;L. Knoll
我们研究了氧化物沉积前后的成形气体退火 (FGA) 对 SiO2/4H-SiC 界面缺陷密度 (Dit) 的影响。对于在高于 1050°C 的温度下使用 FGA 进行处理的 MOS 电容器 (MOSCAP)，CV 特性显示不同扫描方向和频率的平带电压偏移和延伸有所减少。此外，进行了恒电容深能级瞬态光谱 (CC-DLTS)，结果显示在 1200°C 下沉积后 FGA 的 Dit 水平低于 1012 cm-2eV-1。最后，制造横向 MOSFET 来分析与温度相关的阈值电压 (Vth) 偏移。
We investigated the influence of forming gas annealing (FGA) before and after oxide deposition on the SiO2/4H-SiC interface defect density (Dit). For MOS capacitors (MOSCAPs) that were processed using FGAs at temperatures above 1050°C, CV characterization revealed decreased flat band voltage shifts and stretch-out for different sweep directions and frequencies. Moreover, constant-capacitance deep level transient spectroscopy (CC-DLTS) was performed and showed Dit levels below 1012 cm-2eV-1 for post deposition FGA at 1200°C. Finally, lateral MOSFETs were fabricated to analyze the temperature-dependent threshold voltage (Vth) shift.