Si nano-crystal dot memory fabricated by Side-wall Typed PECVD
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复制标题
侧壁式PECVD制备硅纳米晶点存储器
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kiyoshi Ogata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kazunori Ichikawa;Masato Mukai;P.Punchaipetch;Hiroshi Yano;Tomoaki Hatayama;Yukiharu Uraoka;Takashi Fuyuki;Eiji Takahashi;Tsukasa Hayashi;Kiyoshi Ogata
