Investigation of 4H SiC metal insulation semiconductorstructure with Al2O3/SiO2 stacked dielectric

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Al2O3/SiO2叠层介质4H SiC金属绝缘半导体结构研究

DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
Chinese Physics B
影响因子：
1.7
通讯作者：
张玉明
张玉明
中科院分区：
物理与天体物理3区
文献类型：
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作者：
张玉明

文献摘要

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