Layered (InxGa1-x)2Se3 (III2-VI3) Compounds as Novel Buffer Layers for GaAs on Si System
Layered (InxGa1-x)2Se3 (III2-VI3) Compounds as Novel Buffer Layers for GaAs on Si System
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层状 (InxGa1-x)2Se3 (III2-VI3) 化合物作为 Si 系统上 GaAs 的新型缓冲层
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masafumi Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nobuaki Kojima;Yoshio Ohshita;Masafumi Yamaguchi
