T.Inukai, H.Im, T.Hiramoto: "Origin of Critical Substrate Bias in Variable Threshold Voltage CMOS"Japanese Journal of Applied Physics. Vol.41,Part1,No.4B(to be published). (2002)
T.Inukai, H.Im, T.Hiramoto: "Origin of Critical Substrate Bias in Variable Threshold Voltage CMOS"Japanese Journal of Applied Physics. Vol.41,Part1,No.4B(to be published). (2002)
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T.Inukai、H.Im、T.Hiramoto：“可变阈值电压 CMOS 中临界衬底偏置的起源”日本应用物理学杂志。
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